ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STP240N10F7, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 110 А, 0.00285 Ом, TO-220AB, Through Hole - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STP240N10F7, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 110 А, 0.00285 Ом…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STP240N10F7, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 110 А, 0.00285 Ом, TO-220AB, Through Hole
Последняя цена
600 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
N-канальные полевые МОП-транзисторы STripFET ™ DeepGate ™, STMicroelectronics
МОП-транзисторы STripFET ™ с широким диапазоном напряжения пробоя обеспечивают сверхнизкий заряд затвора и низкое сопротивление в открытом состоянии.
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STP240N10F7
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1388019
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
175 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
TO-220AB
Рассеиваемая Мощность
300Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
100В
Непрерывный Ток Стока
110А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.00285Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
4.5В
Transistor Mounting
Through Hole
Вес, г
2.3
Линейка Продукции
STripFET F7 Series
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
110 А
Максимальное рассеяние мощности
300 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.6мм
Высота
15.75мм
Количество элементов на ИС
1
Brand
STMicroelectronics
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
3,2 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
Длина
10.4мм
Серия
DeepGate, STripFET
Типичное время задержки выключения
110 нс
Тип корпуса
TO-220
Размеры
10.4 x 4.6 x 15.75мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
49 нс
Производитель
STMicroelectronics
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
160 nC @ 10 V
Типичная входная емкость при Vds
11550 пФ при 25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
110 А
Maximum Power Dissipation
300 Вт
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
4.6мм
Maximum Drain Source Resistance
3,2 мΩ
Channel Mode
Поднятие
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 617 КБ