ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STP23NM50N, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STP23NM50N, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STP23NM50N, Транзистор
Последняя цена
280 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STP23NM50N
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1815243
Технические параметры
Вес, г
2.84
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Brand
STMicroelectronics
Series
STP23NM50N
Package / Case
TO-220-3
Technology
Si
Rds On - Drain-Source Resistance
162 mOhms
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
500 V
Vgs - Gate-Source Voltage
25 V
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Configuration
Single
Packaging
Tube
Product Category
MOSFET
Factory Pack Quantity
1000
Id - Continuous Drain Current
17 A
Manufacturer
STMicroelectronics
Mounting Style
Through Hole
Number Of Channels
1 Channel
Pd - Power Dissipation
125 W
Product Type
MOSFET
Subcategory
MOSFETs
Tradename
MDmesh
Transistor Type
1 N-Channel
Unit Weight
0.011640 oz
Техническая документация
Datasheet STB23NM50N , pdf
, 846 КБ
