STP20NK50Z, MOSFET транзистор, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Сравнить

• Чрезвычайно высокая стойкость к dV / dt
• 100% лавинные испытания
• Минимальный заряд затвора
• Очень низкая собственная емкость

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STP20NK50Z

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1806856

Вес, г

3.5

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

17A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

190W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

500V

Vgs - Gate-Source Voltage

4.5V @ 100uA

STP20NK50Z, MOSFET транзистор - характеристики, поставщики