ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STP20NF06L, Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 14А, 60Вт, TO220-3 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STP20NF06L, Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 14А, 60Вт, TO220-3
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
STP20NF06L, Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 14А, 60Вт, TO220-3
Последняя цена
44 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
N-Channel STripFET ™, STMicroelectronics
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STP20NF06L
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
2098889
Технические параметры
Тип Транзистора
1 N-Channel
Вес, г
1.96
Тип корпуса
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Ширина
4.6мм
Число контактов
3
Конфигурация
Single
Максимальное напряжение затвор-исток
-18 В, +18 В
Максимальная Рабочая Температура
+175 °C
Transistor Configuration
Одинарный
Категория продукта
МОП-транзистор
Размер фабричной упаковки
1000
Серия
STripFET
Тип
MOSFET
Торговая марка
STMicroelectronics
Длина
10.4мм
Высота
9.15мм
Размеры
10.4 x 4.6 x 9.15мм
Id - непрерывный ток утечки
20 A
Pd - рассеивание мощности
60 W
Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
Вид монтажа
Through Hole
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
10 S
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Полярность транзистора
N-Channel
Упаковка / блок
TO-220-3
Подкатегория
MOSFETs
Тип продукта
MOSFET
Base Product Number
STP20 ->
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
HTSUS
8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Operating Temperature
-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-220-3
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-220AB
Производитель
STMicroelectronics
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Количество каналов
1 Channel
Упаковка
Tube
Технология
Si
Количество элементов на ИС
1
Максимальный непрерывный ток стока
20 A
Максимальное рассеяние мощности
60 Вт
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
70 мОм
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Материал транзистора
Кремний
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
400 пФ при 25 В
Тип канала
N
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
70 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток
18 V, + 18 V
Канальный режим
Enhancement
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
400pF @ 25V
Power Dissipation (Max)
60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
70mOhm @ 10A, 10V
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250ВµA
Series
STripFETв„ў II ->
Время нарастания
30 ns
Время спада
6 ns
Типичное время задержки выключения
20 ns
Типичное время задержки при включении
12 ns
Типичное время задержки включения
12 нс
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
7,5 нКл при 10 В
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7.5nC @ 10V
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Other Related Documents
http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
Техническая документация
cd00047689-1796248 , pdf
, 378 КБ
Datasheet STP20NF06L , pdf
, 390 КБ
Datasheet STP20NF06L , pdf
, 394 КБ
Datasheet STP20NF06L , pdf
, 378 КБ