STP20N65M5 микросхема, N-Channel MOSFET, 18 A, 710 V, 3-Pin TO-220, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 590 руб.

Сравнить

Описание

Серия MDmesh ™ M5 с N-каналом, STMicroelectronics
Силовые полевые МОП-транзисторы MDmesh M5 оптимизированы для мощных топологий PFC и PWM. Основные характеристики включают низкие потери в открытом состоянии на площадь кремния в сочетании с низким зарядом затвора. Они разработаны для энергосберегающих, компактных и надежных устройств с аппаратным переключением, таких как преобразователи солнечной энергии, источники питания для потребительских товаров и электронные системы управления освещением.

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STP20N65M5 микросхема

P/N

STP20N65M5

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1745627

Технические параметры

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Package Type

TO-220

Transistor Material

Length

10.4mm

Brand

STMicroelectronics

Series

MDmesh M5

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

36 nC @ 10 V

Maximum Gate Source Voltage

-25 V, +25 V

Mounting Type

Through Hole

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

18 A

Maximum Power Dissipation

130 W

Width

4.6mm

Height

15.75mm

Maximum Drain Source Resistance

190 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

710 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1170 КБ
Datasheet , pdf , 1154 КБ

STP20N65M5 микросхема, N-Channel MOSFET, 18 A, 710 V, 3-Pin TO-220 - характеристики, поставщики

Последняя цена 590 руб.

Техническая документация