ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STP15N95K5, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 950 В, 12 А, 0.41 Ом, TO-220AB, Through Hole - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STP15N95K5, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 950 В, 12 А, 0.41 Ом, TO-…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STP15N95K5, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 950 В, 12 А, 0.41 Ом, TO-220AB, Through Hole
Последняя цена
690 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
N-канальные серии MDmesh ™ K5, SuperMESH5 ™, STMicroelectronics
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STP15N95K5
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1387997
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
TO-220AB
Рассеиваемая Мощность
170Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
950В
Непрерывный Ток Стока
12А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.41Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
4В
Transistor Mounting
Through Hole
Вес, г
2.3
Линейка Продукции
SuperMESH 5 Series
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
12 А
Package Type
TO-220
Максимальное рассеяние мощности
170 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.6мм
Высота
15.75мм
Количество элементов на ИС
1
Конфигурация транзистора
Одинарный
Brand
STMicroelectronics
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
500 мОм
Максимальное напряжение сток-исток
950 В
Pin Count
3
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Maximum Gate Source Voltage
-30 В, +30 В
Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
Длина
10.4мм
Серия
MDmesh K5, SuperMESH5
Типичное время задержки выключения
62 ns
Тип корпуса
TO-220
Размеры
10.4 x 4.6 x 15.75мм
Материал транзистора
SI
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
20 нс
Производитель
STMicroelectronics
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
30 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
855 пФ при 100 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
12A(Tc)
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
170W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance
500mО© @ 6A,10V
Transistor Polarity
N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
950V
Vgs - Gate-Source Voltage
5V @ 100uA
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Power Dissipation
170 Вт
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Drain Source Voltage
950 В
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 1253 КБ