ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STL6N2VH5 транзистор, N-Channel MOSFET, 6 A, 20 V, 6-Pin PowerFLAT - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STL6N2VH5 транзистор, N-Channel MOSFET, 6 A, 20 V, 6-Pin PowerFLAT
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STL6N2VH5 транзистор, N-Channel MOSFET, 6 A, 20 V, 6-Pin PowerFLAT
Последняя цена
18 руб.
Сравнить
Описание
N-канальные полевые МОП-транзисторы STripFET ™ V, STMicroelectronics
МОП-транзисторы STripFET ™ с широким диапазоном напряжения пробоя обеспечивают сверхнизкий заряд затвора и низкое сопротивление в открытом состоянии.
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STL6N2VH5 транзистор
P/N
STL6N2VH5
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1745071
Технические параметры
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Package Type
PowerFLAT
Transistor Material
Si
Length
2.1мм
Brand
STMicroelectronics
Series
STripFET V
Pin Count
6
Typical Gate Charge @ Vgs
6 nC @ 4.5
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Transistor Configuration
Single
Minimum Gate Threshold Voltage
0.7V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
6 А
Maximum Power Dissipation
2.4 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
2.1мм
Height
0.75mm
Maximum Drain Source Resistance
40 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Техническая документация
Datasheet STL6N2VH5 , pdf
, 892 КБ