STL110N10F7 транзистор, MOSFET N-Channel 100V 110, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 530 руб.

Сравнить

Описание

N-канальные полевые МОП-транзисторы STripFET ™ H7, STMicroelectronics
МОП-транзисторы STripFET ™ с широким диапазоном напряжения пробоя обеспечивают сверхнизкий заряд затвора и низкое сопротивление в открытом состоянии.

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STL110N10F7 транзистор

P/N

STL110N10F7

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1811164

Технические параметры

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Package Type

PowerFLAT

Transistor Material

Length

5.4mm

Brand

STMicroelectronics

Series

STripFET H7

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

60 nC @ 10 V

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Mounting Type

Surface Mount

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

110 A

Maximum Power Dissipation

5 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

6.35mm

Height

0.95mm

Maximum Drain Source Resistance

6 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

STL110N10F7 транзистор, MOSFET N-Channel 100V 110 - характеристики, поставщики

Последняя цена 530 руб.