STGWT60H65DFB, IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin TO-3P, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 570 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductors

Дискретные БТИЗ, STMicroelectronics

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STGWT60H65DFB

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1387619

Технические параметры

Производитель

STMicroelectronics

Тип корпуса

TO-3P

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Brand

STMicroelectronics

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum Power Dissipation

375 Вт

Dimensions

15.8 x 5 x 20.1мм

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Длина

15.8мм

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

650 В

Максимальный непрерывный ток коллектора

80 A

Максимальное рассеяние мощности

375 Вт

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

20.1мм

Число контактов

Размеры

15.8 x 5 x 20.1мм

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Тип канала

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Ширина

5мм

Техническая документация

Datasheet , pdf , 686 КБ

STGWT60H65DFB, IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin TO-3P - характеристики, поставщики

Последняя цена 570 руб.

Техническая документация