ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STGWT15H60F, IGBT - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STGWT15H60F, IGBT
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
STGWT15H60F, IGBT
Последняя цена
120 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STGWT15H60F
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1387610
Технические параметры
Brand
STMicroelectronics
Package Type
TO
Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
15.8мм
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum Collector Emitter Voltage
600 V
Maximum Continuous Collector Current
30 A @ +25°C
Maximum Power Dissipation
115 W
Energy Rating
553µJ
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
5мм
Pin Count
3
Dimensions
15.8 x 5 x 20.1mm
Switching Speed
1МГц
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Channel Type
N
Gate Capacitance
1952pF
Максимальный непрерывный ток коллектора
30 А при +25 °C
Максимальное рассеяние мощности
115 Вт
Номинальная энергия
553µJ
Высота
20.1мм
Число контактов
3
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Емкость затвора
1952пФ
Тип канала
N
Количество транзисторов
1
Number of Transistors
1
