ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STGWA40S120DF3, IGBT, 80 A 1200 V, 3-Pin TO-247 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STGWA40S120DF3, IGBT, 80 A 1200 V, 3-Pin TO-247
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
STGWA40S120DF3, IGBT, 80 A 1200 V, 3-Pin TO-247
Последняя цена
680 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductors
Дискретные БТИЗ, STMicroelectronics
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STGWA40S120DF3
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1387604
Технические параметры
Тип корпуса
TO-247
Brand
STMicroelectronics
Package Type
TO-247
Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
15.9мм
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 В
Maximum Continuous Collector Current
80 А
Maximum Power Dissipation
468 Вт
Energy Rating
8.5mJ
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
5.1мм
Height
21.1мм
Pin Count
3
Dimensions
15.9 x 5.1 x 21.1мм
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Gate Capacitance
2475пФ
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальный непрерывный ток коллектора
80 А
Номинальная энергия
8.5mJ
Число контактов
3
Размеры
15.9 x 5.1 x 21.1мм
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип канала
N