STGWA40H65DFB2, , IGBT TRAN, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Сравнить

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STGWA40H65DFB2

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1387600

Тип корпуса

TO-247

Brand

STMicroelectronics

Transistor Configuration

Общий эмиттер

Maximum Power Dissipation

230 Вт

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

650 В

Максимальный непрерывный ток коллектора

40 A

Число контактов

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±V

Тип канала

Количество транзисторов

STGWA40H65DFB2, , IGBT TRAN - характеристики, поставщики