ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STGW45HF60WD, IGBT 100КГц/45А/600В, [TO-247] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STGW45HF60WD, IGBT 100КГц/45А/600В, [TO-247]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
STGW45HF60WD, IGBT 100КГц/45А/600В, [TO-247]
Последняя цена
280 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STGW45HF60WD
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1741834
Технические параметры
Вес, г
7.5
Максимальное напряжение КЭ ,В
600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
2.5
Корпус
to-247
Управляющее напряжение,В
5.75
Технология/семейство
hf, planar
Наличие встроенного диода
да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
70
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
250
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
145
Рабочая температура (Tj), °C
-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А
150
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
30
Структура
n-канал+диод
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 463 КБ