STGW30NC60KD, Транзистор БТИЗ, 600В, 28А, 200Вт, TO247, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 510 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Транзисторы IGBT\Транзисторы IGBT THT

Дискретные БТИЗ, STMicroelectronics

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STGW30NC60KD

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

2126202

Технические параметры

Brand

STMicroelectronics

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

15.75mm

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Continuous Collector Current

60 A

Maximum Power Dissipation

200 W

Energy Rating

1435µJ

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

5.15mm

Height

24.45mm

Pin Count

Dimensions

15.75 x 5.15 x 24.45mm

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Channel Type

Gate Capacitance

2170pF

Длина

15.75 mm

Минимальная рабочая температура

55 C

Высота

20.15 mm

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

+/- 20 V

Максимальная рабочая температура

+ 150 C

Ширина

5.15 mm

Конфигурация

Single

Вес, г

4.51

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.7V @ 15V,20A

Вид монтажа

Through Hole

Категория продукта

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

600 V

Непрерывный ток коллектора Ic, макс.

60 A

Подкатегория

IGBTs

Размер фабричной упаковки

600

Тип продукта

IGBT Transistors

Торговая марка

STMicroelectronics

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

TO-247-3

Серия

STGW30NC60KD

Технология

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Maximum DC Collector Current

60A

Техническая документация

Datasheet STGW30NC60KD , pdf , 332 КБ
Datasheet STGW30NC60KD , pdf , 346 КБ

STGW30NC60KD, Транзистор БТИЗ, 600В, 28А, 200Вт, TO247 - характеристики, поставщики

Последняя цена 510 руб.

Техническая документация