STGW28IH125DF, Trans IGBT Chip N-CH 1250V 60A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 309 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductor - Discrete > Power Discrete > Transistor - IGBT Component

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1250V 25A trench gate field-stop IGBT

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STGW28IH125DF

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

2080032

Технические параметры

Минимальная рабочая температура

55 C

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

20 V

Максимальная рабочая температура

+ 175 C

Конфигурация

Single

Pd - рассеивание мощности

375 W

Вид монтажа

Through Hole

Категория продукта

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

1.25 kV

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

2.65 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

60 A

Непрерывный ток коллектора Ic, макс.

30 A

Подкатегория

IGBTs

Размер фабричной упаковки

600

Тип продукта

IGBT Transistors

Ток утечки затвор-эмиттер

250 nA

Торговая марка

STMicroelectronics

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

TO-247-3

Серия

STGW28IH125DF

Технология

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1361 КБ

STGW28IH125DF, Trans IGBT Chip N-CH 1250V 60A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube - характеристики, поставщики

Последняя цена 309 руб.

Техническая документация