STGP10M65DF2, IGBT, 20 A 650 V, 3-Pin TO-220, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 170 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductors

Дискретные БТИЗ, STMicroelectronics

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STGP10M65DF2

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1387559

Технические параметры

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Brand

STMicroelectronics

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

10.4mm

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Continuous Collector Current

20 A

Maximum Power Dissipation

115 W

Energy Rating

0.66mJ

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

4.6mm

Height

15.75mm

Pin Count

Dimensions

10.4 x 4.6 x 15.75mm

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Channel Type

Gate Capacitance

840pF

Длина

10.4мм

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальный непрерывный ток коллектора

20 А

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Число контактов

Размеры

10.4 x 4.6 x 15.75мм

Емкость затвора

840пФ

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Техническая документация

Datasheet STGP10M65DF2 , pdf , 940 КБ

STGP10M65DF2, IGBT, 20 A 650 V, 3-Pin TO-220 - характеристики, поставщики

Последняя цена 170 руб.

Техническая документация