STGFW30V60DF, IGBT 30A (@100C) 600V TRENCH GAT, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 320 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductors

Дискретные БТИЗ, STMicroelectronics

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STGFW30V60DF

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1387542

Технические параметры

Тип корпуса

TO-3PF

Brand

STMicroelectronics

Package Type

TO-3PF

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

15.7mm

Transistor Configuration

Одиночный

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Continuous Collector Current

60 A

Maximum Power Dissipation

58 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

5.7мм

Height

26.7мм

Pin Count

Dimensions

15.7 x 5.7 x 26.7mm

Switching Speed

1МГц

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

600 В

Максимальный непрерывный ток коллектора

60 А

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Число контактов

Размеры

15.7 x 5.7 x 26.7мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

STGFW30V60DF, IGBT 30A (@100C) 600V TRENCH GAT - характеристики, поставщики

Последняя цена 320 руб.