ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STGF7H60DF, Транзистор IGBT, 600В, 7А, 24Вт, TO220FP - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STGF7H60DF, Транзистор IGBT, 600В, 7А, 24Вт, TO220FP
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
STGF7H60DF, Транзистор IGBT, 600В, 7А, 24Вт, TO220FP
Последняя цена
260 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STGF7H60DF
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
2184723
Технические параметры
Вес, г
2
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.95V @ 15V,7A
Product Type
Trench Field Stop
Подкатегория:
IGBTs
Производитель:
STMicroelectronics
Серия:
STGF7H60DF
Технология:
Si
Тип продукта:
IGBT Transistors
Торговая марка:
STMicroelectronics
Упаковка:
Tube
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Maximum DC Collector Current
14A
Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage
6.9V @ 250uA
Размер фабричной упаковки: Размер фабричной упаковки:
1000
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 980 КБ
Datasheet STGF7H60DF , pdf
, 953 КБ