STGF10NB60SD, Транзистор N-БТИЗ, 600 В 10 А, TO-220-3 FP, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 350 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Транзисторы IGBT\Транзисторы IGBT THT

Дискретные БТИЗ, STMicroelectronics

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STGF10NB60SD

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

2092704

Технические параметры

Производитель

STMicroelectronics

Тип корпуса

TO-220FP

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Brand

STMicroelectronics

Base Product Number

STGF10 ->

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Input Type

Standard

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3 Full Pack

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220FP

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Length

10.4 mm

Transistor Configuration

Одинарный

Energy Rating

8mJ

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Width

4.6 mm

Height

9.3 mm

Maximum Gate Emitter Voltage

20 V

Длина

10.4мм

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

600 В

Максимальный непрерывный ток коллектора

23 А

Максимальное рассеяние мощности

25 W

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

20мм

Число контактов

Размеры

10.4 x 4.6 x 20мм

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Емкость затвора

610пФ

Current - Collector (Ic) (Max)

23A

Current - Collector Pulsed (Icm)

80A

Gate Charge

33nC

Power - Max

25W

Switching Energy

600ВµJ (on), 5mJ (off)

Td (on/off) @ 25В°C

700ns/1.2Вµs

Test Condition

480V, 10A, 1kOhm, 15V

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

1.75V @ 15V, 10A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

600V

Тип канала

Reverse Recovery Time (trr)

37ns

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

4.6мм

Конфигурация

Single

Configuration

Single

Вес, г

2.46

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

600 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.8 V

Continuous Collector Current At 25 C

20 A

Continuous Collector Current Ic Max

20 A

Factory Pack Quantity

1000

Gate-Emitter Leakage Current

+/- 100 nA

Manufacturer

STMicroelectronics

Mounting Style

Through Hole

Packaging

Tube

Pd - Power Dissipation

25 W

Product Category

IGBT Transistors

Product Type

IGBT Transistors

Subcategory

IGBTs

Technology

Unit Weight

0.081130 oz

Pd - рассеивание мощности

25 W

Вид монтажа

Through Hole

Категория продукта

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

600 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1.8 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

20 A

Непрерывный ток коллектора Ic, макс.

20 A

Подкатегория

IGBTs

Размер фабричной упаковки

1000

Тип продукта

IGBT Transistors

Ток утечки затвор-эмиттер

+/- 100 nA

Торговая марка

STMicroelectronics

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

TO-220-3 FP

Серия

STGF10NB60SD

Технология

Series

PowerMESHв„ў ->

Непрерывный коллекторный ток

10 A

Техническая документация

Datasheet , pdf , 408 КБ
Datasheet STGF10NB60SD , pdf , 427 КБ
Datasheet , pdf , 408 КБ

STGF10NB60SD, Транзистор N-БТИЗ, 600 В 10 А, TO-220-3 FP - характеристики, поставщики

Последняя цена 350 руб.

Техническая документация