ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STGB10M65DF2, БТИЗ транзистор, 20 А, 1.55 В, 115 Вт, 650 В, TO-263 (D2PAK), 3 вывод(-ов) - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STGB10M65DF2, БТИЗ транзистор, 20 А, 1.55 В, 115 Вт, 650 В, TO-263 (D2…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
STGB10M65DF2, БТИЗ транзистор, 20 А, 1.55 В, 115 Вт, 650 В, TO-263 (D2PAK), 3 вывод(-ов)
Последняя цена
360 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STGB10M65DF2
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1387525
Технические параметры
Максимальная рабочая температура
175 C
Вес, г
2
DC Ток Коллектора
20А
Напряжение Коллектор-Эмиттер
650В
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)
1.55В
Рассеиваемая Мощность
115Вт
Стиль Корпуса Транзистора
TO-263(D2PAK)
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Техническая документация
Datasheet STGB10M65DF2 , pdf
, 1121 КБ