ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STFW24N60M2 транзистор, N-Channel MOSFET, 18 A, 650 V, 3-Pin TO-3PF - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STFW24N60M2 транзистор, N-Channel MOSFET, 18 A, 650 V, 3-Pin TO-3PF
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STFW24N60M2 транзистор, N-Channel MOSFET, 18 A, 650 V, 3-Pin TO-3PF
Последняя цена
290 руб.
Сравнить
Описание
N-Channel MDmesh ™, 600 В / 650 В, STMicroelectronics
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STFW24N60M2 транзистор
P/N
STFW24N60M2
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1812911
Технические параметры
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Package Type
TO-3PF
Максимальное рассеяние мощности
48 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Высота
26.7мм
Transistor Material
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Конфигурация транзистора
Одинарный
Brand
STMicroelectronics
Максимальное сопротивление сток-исток
190 мΩ
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
29 нКл при 10 В
Длина
15.7мм
Серия
MDmesh
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Maximum Continuous Drain Current
18 А
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
5.7мм
Maximum Drain Source Voltage
650 В
Channel Mode
Поднятие
Channel Type
N
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Техническая документация
Datasheet STFW24N60M2 , pdf
, 44 КБ