ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STF8NK100Z, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STF8NK100Z, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STF8NK100Z, Транзистор
Последняя цена
770 руб.
Сравнить
Описание
N-Channel MDmesh ™ SuperMESH ™, от 700 В до 1200 В, STMicroelectronics
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STF8NK100Z
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1809013
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
2.268
Максимальный непрерывный ток стока
6,5 A
Максимальное рассеяние мощности
40 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.6мм
Высота
16.4мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
1,85 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
1000 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Длина
10.4мм
Серия
MDmesh, SuperMESH
Типичное время задержки выключения
59 нс
Тип корпуса
TO-220FP
Размеры
10.4 x 4.6 x 16.4мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
28 нс
Производитель
STMicroelectronics
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
102 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
2180 пФ при 25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 291 КБ
Datasheet , pdf
, 291 КБ