ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STF7N80K5, Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STF7N80K5, Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STF7N80K5, Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Последняя цена
142 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
МОП-транзистор N-Ch 800V 0.95Ohm 6A MDmesh K5
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STF7N80K5
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2413653
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Series
SuperMESH5в„ў ->
Минимальная рабочая температура
55 C
Base Product Number
STF7 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
800V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
13.4nC @ 10V
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
360pF @ 100V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Power Dissipation (Max)
25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 3A, 10V
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-220FP
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100ВµA
Id - непрерывный ток утечки
6 A
Pd - рассеивание мощности
25 W
Qg - заряд затвора
13.4 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
1.2 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
800 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
4 V
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
8.3 ns
Время спада
22.2 ns
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
MDmesh
Конфигурация
Single
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
1000
Серия
STF7N80K5
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
23.7 ns
Типичное время задержки при включении
11.3 ns
Торговая марка
STMicroelectronics
Упаковка / блок
TO-220-3
Упаковка
Tube
Other Related Documents
http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
6A(Tc)
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
25W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance
1.2О© @ 3A,10V
Transistor Polarity
N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
800V
Vgs - Gate-Source Voltage
5V @ 100uA
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 770 КБ
Datasheet STF7N80K5 , pdf
, 607 КБ