STF5N60M2 транзистор, MOSFET N-CH 600V 3.7A MDMESH II PLUS,Транзистор, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 235 руб.

Сравнить

Описание

Серия N-канальных MDmesh ™ M2, STMicroelectronics
Серия высоковольтных силовых полевых МОП-транзисторов от STMicroelecronics. Благодаря низкому заряду затвора и отличным характеристикам выходной емкости серия MDmesh M2 идеально подходит для использования в импульсных источниках питания резонансного типа (LLC-преобразователи).

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STF5N60M2 транзистор

P/N

STF5N60M2

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1816463

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Максимальный непрерывный ток стока

3,7 А

Максимальное рассеяние мощности

20 W

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.6мм

Высота

16.4мм

Количество элементов на ИС

Максимальное сопротивление сток-исток

1.4 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

10.4мм

Серия

MDmesh M2

Тип корпуса

TO-220FP

Размеры

10.4 x 4.6 x 16.4мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Производитель

STMicroelectronics

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

4,5 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

165 пФ при 100 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Техническая документация

Datasheet STF5N60M2 , pdf , 739 КБ

STF5N60M2 транзистор, MOSFET N-CH 600V 3.7A MDMESH II PLUS,Транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 235 руб.

Техническая документация