STF4N62K3, Транзистор N-МОП, полевой, 620В, 2А, 25Вт, TO220FP, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 160 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 3

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STF4N62K3

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2119415

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

1.7

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

STF4N62K3

Торговая марка

STMicroelectronics

Id - непрерывный ток утечки

3.8 A

Pd - рассеивание мощности

25 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

620 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

2 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V, + 30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3 V

Канальный режим

Enhancement

Qg - заряд затвора

22 nC

Время нарастания

9 ns

Время спада

19 ns

Коммерческое обозначение

SuperMESH

Типичное время задержки выключения

29 ns

Типичное время задержки при включении

10 ns

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

3.8A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

25W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

2О© @ 1.9A,10V

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

620V

Vgs - Gate-Source Voltage

4.5V @ 50uA

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1056 КБ
Datasheet STF4N62K3 , pdf , 1041 КБ

STF4N62K3, Транзистор N-МОП, полевой, 620В, 2А, 25Вт, TO220FP - характеристики, поставщики

Последняя цена 160 руб.

Техническая документация