ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STF34NM60ND, Транзистор: N-MOSFET - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STF34NM60ND, Транзистор: N-MOSFET
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
STF34NM60ND, Транзистор: N-MOSFET
Последняя цена
1020 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
МОП-транзистор N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A FDmesh II
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STF34NM60ND
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
2091848
Технические параметры
Тип Транзистора
1 N-Channel
Вес, г
2
Конфигурация
Single
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Категория продукта
МОП-транзистор
Размер фабричной упаковки
1000
Серия
STF34NM60ND
Торговая марка
STMicroelectronics
Id - непрерывный ток утечки
29 A
Pd - рассеивание мощности
190 W
Vds - напряжение пробоя сток-исток
650 V
Вид монтажа
Through Hole
Минимальная рабочая температура
55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Упаковка / блок
TO-220-3
Подкатегория
MOSFETs
Тип продукта
MOSFET
Количество каналов
1 Channel
Упаковка
Tube
Технология
Si
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
110 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток
25 V
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 1237 КБ