STF26N60DM6, Транзистор: N-MOSFET, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 760 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STF26N60DM6

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2089905

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

2.5

Mounting Type

Through Hole

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

1000

Торговая марка

STMicroelectronics

Id - непрерывный ток утечки

18 A

Pd - рассеивание мощности

30 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

600 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

STF26 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3 Full Pack

REACH Status

REACH Unaffected

Supplier Device Package

TO-220FP

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

195 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

25 V, + 25 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3.25 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

18A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

940pF @ 100V

Power Dissipation (Max)

30W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

195mOhm @ 9A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±25V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.75V @ 250ВµA

Series

MDmeshв„ў DM6 ->

Qg - заряд затвора

24 nC

Время нарастания

11 ns

Время спада

8 ns

Типичное время задержки выключения

39 ns

Типичное время задержки при включении

13 ns

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Техническая документация

Datasheet STF26N60DM6 , pdf , 274 КБ
Datasheet STF26N60DM6 , pdf , 263 КБ

STF26N60DM6, Транзистор: N-MOSFET - характеристики, поставщики

Последняя цена 760 руб.

Техническая документация