ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STF18NM60N, Микросхема - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STF18NM60N, Микросхема
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
STF18NM60N, Микросхема
Последняя цена
154 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STF18NM60N
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
1793235
Технические параметры
Вес, г
1.698
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
13A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
30W
Rds On - Drain-Source Resistance
285mО© @ 6.5A,10V
Transistor Polarity
N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
600V
Vgs - Gate-Source Voltage
4V @ 250uA
Техническая документация
...18NM60N , pdf
, 1175 КБ