STF13N60DM2, Транзистор: N-MOSFET, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 370 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STF13N60DM2

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2089996

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

2.5

Mounting Type

Through Hole

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

STF13N60DM2

Торговая марка

STMicroelectronics

Id - непрерывный ток утечки

11 A

Pd - рассеивание мощности

25 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

600 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

STF13 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3 Full Pack

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220FP

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

310 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

25 V, + 25 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

11A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

730pF @ 100V

Power Dissipation (Max)

25W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

365mOhm @ 5.5A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±25V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250ВµA

Series

MDmeshв„ў DM2 ->

Qg - заряд затвора

19 nC

Время нарастания

4.8 ns

Время спада

10.6 ns

Коммерческое обозначение

MDmesh

Типичное время задержки выключения

42.5 ns

Типичное время задержки при включении

12.3 ns

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 10V

Техническая документация

Datasheet STF13N60DM2 , pdf , 444 КБ
Datasheet STF13N60DM2 , pdf , 430 КБ

STF13N60DM2, Транзистор: N-MOSFET - характеристики, поставщики

Последняя цена 370 руб.

Техническая документация