STF10N105K5, Транзистор N-МОП, полевой, 1050В, 3,78А, 30Вт, TO220FP, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 240 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор N-channel 1050 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power МОП-транзисторs in TO-220FP package

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STF10N105K5

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2140188

Технические параметры

Вес, г

1.69

Mounting Type

Through Hole

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

STF10N105K5

Торговая марка

STMicroelectronics

Id - непрерывный ток утечки

6 A

Pd - рассеивание мощности

30 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

1.05 kV

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220FP-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

STF10 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

1050V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3 Full Pack

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220FP

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

1 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

6A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

545pF @ 100V

Power Dissipation (Max)

30W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.3Ohm @ 3A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

30V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 100ВµA

Series

MDmeshв„ў K5 ->

Qg - заряд затвора

21.5 nC

Время нарастания

8 ns

Время спада

21.5 ns

Коммерческое обозначение

MDmesh

Типичное время задержки выключения

50 ns

Типичное время задержки при включении

19 ns

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21.5nC @ 10V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 719 КБ
Datasheet , pdf , 539 КБ

STF10N105K5, Транзистор N-МОП, полевой, 1050В, 3,78А, 30Вт, TO220FP - характеристики, поставщики

Последняя цена 240 руб.

Техническая документация