ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STD8N80K5 микросхема, N-Channel MOSFET, 6 A, 800 V, 3-Pin DPAK - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STD8N80K5 микросхема, N-Channel MOSFET, 6 A, 800 V, 3-Pin DPAK
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STD8N80K5 микросхема, N-Channel MOSFET, 6 A, 800 V, 3-Pin DPAK
Последняя цена
49 руб.
Сравнить
Описание
N-канальные серии MDmesh ™ K5, SuperMESH5 ™, STMicroelectronics
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STD8N80K5 микросхема
P/N
STD8N80K5
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1745575
Технические параметры
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Package Type
DPAK (TO-252)
Transistor Material
Si
Length
6.6мм
Brand
STMicroelectronics
Series
MDmesh K5, SuperMESH5
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
16.5 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
6 А
Maximum Power Dissipation
110 Вт
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
6.2мм
Height
2.4мм
Maximum Drain Source Resistance
950 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Техническая документация
Datasheet STD8N80K5 , pdf
, 450 КБ
Datasheet , pdf
, 1303 КБ