STD5NK40Z-1, Транзистор N-МОП, полевой, 400В, 1,9А, 45Вт, I2PAK, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 190 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор N-Ch 400 Volt 3.0 A

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STD5NK40Z-1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2136644

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Length

6.6 mm

Brand

STMicroelectronics

Mounting Type

Through Hole

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Ширина

2.4 mm

Height

6.2 mm

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Width

2.4 mm

Configuration

Single

Packaging

Tube

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

STD5NK40Z-1

Тип

MOSFET

Торговая марка

STMicroelectronics

Длина

6.6 mm

Высота

6.2 mm

Id - непрерывный ток утечки

3 A

Pd - рассеивание мощности

45 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

400 V

Вид монтажа

Through Hole

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

2.2 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-251-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

STD5NK40 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

400V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

I-PAK

Type

MOSFET

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

1.8 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

3A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

305pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

45W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.8Ohm @ 1.5A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 50ВµA

Series

SuperMESHв„ў ->

Channel Mode

Enhancement

Typical Turn-On Delay Time

9.2 ns

Typical Turn-Off Delay Time

22.5 ns

Время нарастания

6 ns

Время спада

11 ns

Коммерческое обозначение

SuperMESH

Типичное время задержки выключения

22.5 ns

Типичное время задержки при включении

9.2 ns

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Rds On - Drain-Source Resistance

1.8 Ohms

Transistor Polarity

N-Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

400 V

Vgs - Gate-Source Voltage

30 V

Product Category

MOSFET

Pd - Power Dissipation

45 W

Factory Pack Quantity

3000

Fall Time

11 ns

Id - Continuous Drain Current

3 A

Manufacturer

STMicroelectronics

Mounting Style

Through Hole

Number Of Channels

1 Channel

Product Type

MOSFET

Rise Time

6 ns

Subcategory

MOSFETs

Tradename

SuperMESH

Transistor Type

1 N-Channel

Unit Weight

0.139332 oz

Forward Transconductance - Min

2.2 S

Техническая документация

Datasheet , pdf , 603 КБ
Datasheet STD5NK40Z-1 , pdf , 603 КБ
Datasheet , pdf , 563 КБ

STD5NK40Z-1, Транзистор N-МОП, полевой, 400В, 1,9А, 45Вт, I2PAK - характеристики, поставщики

Последняя цена 190 руб.

Техническая документация