ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STD40NF10, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STD40NF10, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STD40NF10, Транзистор
Последняя цена
361 руб.
Сравнить
Описание
N-Channel STripFET ™, STMicroelectronics
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STD40NF10
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1811064
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
50 A
Максимальное рассеяние мощности
125 W
Тип монтажа
Surface Mount
Ширина
6.2мм
Высота
2.4мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
28 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Длина
6.6
Серия
STripFET
Типичное время задержки выключения
54 нс
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Размеры
6.6 x 6.2 x 2.4мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
21 ns
Производитель
STMicroelectronics
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
46,5 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
2180 пФ при 25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Техническая документация
Datasheet STD40NF10 , pdf
, 535 КБ
Datasheet , pdf
, 479 КБ
