STD3NK80Z-1, Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 45 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

N-Channel MDmesh ™ SuperMESH ™, от 700 В до 1200 В, STMicroelectronics

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STD3NK80Z-1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2413185

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

N-Channel

Максимальный непрерывный ток стока

2.5 A

Package Type

IPAK (TO-251)

Максимальное рассеяние мощности

70 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

2.4мм

Высота

6.2мм

Transistor Material

Кремний

Количество элементов на ИС

Length

6.6мм

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

STMicroelectronics

Series

MDmesh, SuperMESH

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

4,5 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

19 нКл при 10 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Base Product Number

STD3NK80 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

2.5A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

485pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Power Dissipation (Max)

70W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5Ohm @ 1.25A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

I-PAK

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 50ВµA

Id - непрерывный ток утечки

2.5 A

Pd - рассеивание мощности

70 W

Qg - заряд затвора

19 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

4.5 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

800 V

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

4.5 V

Вид монтажа

Through Hole

Время нарастания

27 ns

Время спада

40 ns

Длина

6.6мм

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

SuperMESH

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

2.1 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

MDmesh, SuperMESH

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

36 ns

Типичное время задержки при включении

17 ns

Торговая марка

STMicroelectronics

Упаковка / блок

TO-251-3

Упаковка

Tube

Техническая документация

STF3NK80Z , pdf , 881 КБ
STD3NK80ZT4 , pdf , 1358 КБ
Datasheet STD3NK80Z-1 , pdf , 1038 КБ

STD3NK80Z-1, Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube - характеристики, поставщики

Последняя цена 45 руб.

Техническая документация