STD2N62K3, Транзистор N-MOSFET, полевой, 620В, 1А, 45Вт, DPAK, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 110 руб.

Сравнить

Описание

МОП-транзистор N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH 3

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STD2N62K3

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2101549

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

1.5

Минимальная рабочая температура

55 C

Id - непрерывный ток утечки

2.2 A

Pd - рассеивание мощности

45 W

Qg - заряд затвора

15 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

3.6 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

620 V

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V, + 30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

4.4 ns

Время спада

22 ns

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

MDmesh

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

2500

Серия

STD2N62K3

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

21 ns

Типичное время задержки при включении

8 ns

Торговая марка

STMicroelectronics

Упаковка / блок

TO-252-3

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

2.2A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

45W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

620V

Vgs - Gate-Source Voltage

4.5V @ 50uA

Техническая документация

Datasheet , pdf , 688 КБ

STD2N62K3, Транзистор N-MOSFET, полевой, 620В, 1А, 45Вт, DPAK - характеристики, поставщики

Последняя цена 110 руб.

Техническая документация