STD16N60M2, Транзистор, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 320 руб.

Сравнить

Описание

Серия N-канальных MDmesh ™ M2, STMicroelectronics
Серия высоковольтных силовых полевых МОП-транзисторов от STMicroelecronics. Благодаря низкому заряду затвора и отличным характеристикам выходной емкости серия MDmesh M2 идеально подходит для использования в импульсных источниках питания резонансного типа (LLC-преобразователи).

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STD16N60M2

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1816005

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Максимальный непрерывный ток стока

12 А

Максимальное рассеяние мощности

110 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

6.2мм

Высота

2.4мм

Количество элементов на ИС

Максимальное сопротивление сток-исток

320 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Прямое напряжение диода

1.6V

Длина

6.6мм

Серия

MDmesh M2

Типичное время задержки выключения

58 нс

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Размеры

6.6 x 6.2 x 2.4мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

10,5 нс

Производитель

STMicroelectronics

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

19 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

700 пФ при 100 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Техническая документация

Datasheet STD16N60M2 , pdf , 441 КБ

STD16N60M2, Транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 320 руб.

Техническая документация