STD13N60M2, Транзистор N-MOSFET, полевой, 600В, 7А, 110Вт, DPAK, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 270 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

МОП-транзистор N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STD13N60M2

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2200217

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

1.5

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

2500

Серия

STD13N60M2

Торговая марка

STMicroelectronics

Id - непрерывный ток утечки

11 A

Pd - рассеивание мощности

110 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

650 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-252-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Количество каналов

1 Channel

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

380 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

25 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3 V

Qg - заряд затвора

17 nC

Время нарастания

10 ns

Время спада

9.5 ns

Коммерческое обозначение

MDmesh

Типичное время задержки выключения

41 ns

Типичное время задержки при включении

11 ns

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

11A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

110W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

600V

Vgs - Gate-Source Voltage

4V @ 250uA

Техническая документация

Datasheet , pdf , 786 КБ
Datasheet STD13N60M2 , pdf , 767 КБ

STD13N60M2, Транзистор N-MOSFET, полевой, 600В, 7А, 110Вт, DPAK - характеристики, поставщики

Последняя цена 270 руб.

Техническая документация