STD11N60DM2, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 10 А, 0.37 Ом, TO-252, Surface Mount, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 340 руб.

Сравнить

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STD11N60DM2

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1387067

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

TO-252

Рассеиваемая Мощность

110Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

600в

Непрерывный Ток Стока

10а

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.37Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

10В

Пороговое Напряжение Vgs

4В

Transistor Mounting

Surface Mount

Максимальный непрерывный ток стока

10 A

Package Type

DPAK

Максимальное рассеяние мощности

110 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Высота

2.17мм

Количество элементов на ИС

Brand

STMicroelectronics

Максимальное сопротивление сток-исток

420 мΩ

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

16,5 нКл при 10 В

Тип канала

Maximum Gate Source Voltage

±25 В

Прямое напряжение диода

1.6V

Длина

6.6мм

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

6.2мм

Channel Mode

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

Техническая документация

Datasheet STD11N60DM2 , pdf , 817 КБ

STD11N60DM2, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 10 А, 0.37 Ом, TO-252, Surface Mount - характеристики, поставщики

Последняя цена 340 руб.

Техническая документация