STB9NK50ZT4-ST, Транзистор N-MOSFET, полевой, 500В, 4,5А, 110Вт, D2PAK, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 190 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 500 В; Iс(25°C): 7.2 А; Rси(вкл): 0.85 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Uзатв(макс): 30 В
Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 500 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 7.2 А, Сопротивление открытого канала (мин) 850 мОм

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STB9NK50ZT4

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2154213

Технические параметры

Вес, г

1.48

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Length

10.4 mm

Brand

STMicroelectronics

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Ширина

9.35мм

Height

4.6 mm

Число контактов

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 V, +30 V

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Width

9.35 mm

Configuration

Single

Packaging

Cut Tape or Reel

Серия

MDmesh, SuperMESH

Длина

10.4мм

Высота

4.6мм

Размеры

10.4 x 9.35 x 4.6мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Package / Case

TO-263-3

Производитель

STMicroelectronics

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Type

MOSFET

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

7.2 A

Максимальное рассеяние мощности

110 Вт

Minimum Gate Threshold Voltage

Максимальное сопротивление сток-исток

850 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

500 В

Материал транзистора

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

910 пФ при 25 В

Тип канала

Technology

Series

STB9NK50Z

Channel Mode

Enhancement

Typical Turn-On Delay Time

17 ns

Typical Turn-Off Delay Time

45 ns

Типичное время задержки выключения

45 ns

Типичное время задержки включения

17 нс

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

32 nC @ 10 V

Rds On - Drain-Source Resistance

850 mOhms

Transistor Polarity

N-Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

500 V

Vgs - Gate-Source Voltage

30 V

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Product Category

MOSFET

Pd - Power Dissipation

110 W

Factory Pack Quantity

1000

Fall Time

22 ns

Id - Continuous Drain Current

7.2 A

Manufacturer

STMicroelectronics

Mounting Style

SMD/SMT

Number Of Channels

1 Channel

Product Type

MOSFET

Rise Time

20 ns

Subcategory

MOSFETs

Tradename

SuperMESH

Transistor Type

1 N-Channel

Unit Weight

0.139332 oz

Forward Transconductance - Min

5.3 S

Техническая документация

STB9NK50ZT4 , pdf , 371 КБ
Datasheet STP9NK50Z , pdf , 368 КБ
Datasheet , pdf , 365 КБ

STB9NK50ZT4-ST, Транзистор N-MOSFET, полевой, 500В, 4,5А, 110Вт, D2PAK - характеристики, поставщики

Последняя цена 190 руб.

Техническая документация