ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STB70NF3LLT4, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STB70NF3LLT4, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STB70NF3LLT4, Транзистор
Последняя цена
160 руб.
Сравнить
Описание
N-канальные полевые МОП-транзисторы STripFET ™ F3, STMicroelectronics
МОП-транзисторы STripFET ™ с широким диапазоном напряжения пробоя обеспечивают сверхнизкий заряд затвора и низкое сопротивление в открытом состоянии.
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STB70NF3LLT4
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1813360
Технические параметры
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Package Type
D2PAK (TO-263)
Transistor Material
Si
Length
10.75mm
Brand
STMicroelectronics
Series
STripFET F3
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
24 nC @ 4.5 V
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, +16 V
Mounting Type
Surface Mount
Transistor Configuration
Single
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
70 A
Maximum Power Dissipation
100 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
10.4mm
Height
4.6mm
Maximum Drain Source Resistance
12 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
