ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STB60NF06LT4, Транзистор MOSFET N-CH 60В 60A [D2PAK] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STB60NF06LT4, Транзистор MOSFET N-CH 60В 60A [D2PAK]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STB60NF06LT4, Транзистор MOSFET N-CH 60В 60A [D2PAK]
Последняя цена
205 руб.
Сравнить
Описание
N-Channel STripFET ™ II, STMicroelectronics
МОП-транзисторы STripFET ™ с широким диапазоном напряжения пробоя обеспечивают сверхнизкий заряд затвора и низкое сопротивление в открытом состоянии.
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STB60NF06LT4
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1520625
Технические параметры
Вес, г
2.7
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Package Type
D2PAK (TO-263)
Transistor Material
Si
Length
10.4мм
Brand
STMicroelectronics
Series
STripFET II
Pin Count
2
Typical Gate Charge @ Vgs
35 nC @ 4.5 V
Maximum Gate Source Voltage
-15 V, +15 V
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Transistor Configuration
Одинарный
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
60 A
Maximum Power Dissipation
110 Вт
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Width
9.35мм
Height
4.6мм
Maximum Drain Source Resistance
14 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
60 В
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 515 КБ
Datasheet STB60NF06LT4 , pdf
, 508 КБ
Datasheet STB60NF06LT4 , pdf
, 503 КБ