STB55NF06L транзистор, N-Channel MOSFET, 55 A, 60 V, 3-Pin D2PAK, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 130 руб.

Сравнить

Описание

N-Channel STripFET ™ II, STMicroelectronics
МОП-транзисторы STripFET ™ с широким диапазоном напряжения пробоя обеспечивают сверхнизкий заряд затвора и низкое сопротивление в открытом состоянии.

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STB55NF06L транзистор

P/N

STB55NF06L

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1744318

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Вес, г

Максимальный непрерывный ток стока

55 А

Максимальное рассеяние мощности

95 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

9.35мм

Высота

4.6мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

18 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

10.4мм

Серия

STripFET II

Типичное время задержки выключения

40 нс

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Размеры

10.4 x 9.35 x 4.6мм

Материал транзистора

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

20 ns

Производитель

STMicroelectronics

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

27 нКл при 4,5 В

Типичная входная емкость при Vds

1700 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-16 V, +16 V

STB55NF06L транзистор, N-Channel MOSFET, 55 A, 60 V, 3-Pin D2PAK - характеристики, поставщики

Последняя цена 130 руб.