STB45N65M5, Mosfet MDmesh V, N-канал, 650 В, 0.067 Ом, 35 А, D2PAK, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 1340 руб.

Сравнить

Описание

Серия MDmesh ™ M5 с N-каналом, STMicroelectronics
Силовые полевые МОП-транзисторы MDmesh M5 оптимизированы для мощных топологий PFC и PWM. Основные характеристики включают низкие потери в открытом состоянии на площадь кремния в сочетании с низким зарядом затвора. Они разработаны для энергосберегающих, компактных и надежных устройств с аппаратным переключением, таких как преобразователи солнечной энергии, источники питания для потребительских товаров и электронные системы управления освещением.

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STB45N65M5

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1387008

Технические параметры

Вес, г

2.3

Структура

n-канал

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В

650

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А

Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)

0.078 Ом/19.5А, 10В

Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт

190

Корпус

D2PAK(2 Leads+Tab)

Пороговое напряжение на затворе

3…5

Техническая документация

...45N65M5 , pdf , 1679 КБ

STB45N65M5, Mosfet MDmesh V, N-канал, 650 В, 0.067 Ом, 35 А, D2PAK - характеристики, поставщики

Последняя цена 1340 руб.

Техническая документация