ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STB43N65M5, Trans MOSFET N-CH 650V 42A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STB43N65M5, Trans MOSFET N-CH 650V 42A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STB43N65M5, Trans MOSFET N-CH 650V 42A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Последняя цена
695 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
МОП-транзистор Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 42 A MDmesh M5 Power МОП-транзистор in a D2PAK package
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STB43N65M5
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2406226
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
N-Channel
Максимальный непрерывный ток стока
7 А
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
9.35мм
Количество элементов на ИС
1
Brand
STMicroelectronics
Минимальная рабочая температура
55 C
Максимальное сопротивление сток-исток
630 мΩ
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
15 нКл при 10 В
Тип канала
N
Maximum Gate Source Voltage
±25 В
Прямое напряжение диода
1.6V
Id - непрерывный ток утечки
42 A
Pd - рассеивание мощности
250 W
Qg - заряд затвора
100 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
63 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
650 V
Vgs - напряжение затвор-исток
10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
15 ns
Время спада
19 ns
Длина
10.4мм
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
MDmesh
Конфигурация
Single
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
1000
Серия
STB43N65M5
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel Power MOSFET
Типичное время задержки выключения
12 ns
Типичное время задержки при включении
73 ns
Торговая марка
STMicroelectronics
Упаковка / блок
D2PAK-3
Тип корпуса
D2PAK
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
70 Вт
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
4.37мм
Channel Mode
Поднятие
Квалификация
AEC-Q101
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Техническая документация
Datasheet STB43N65M5 , pdf
, 831 КБ