ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STB30NF20, Микросхема - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STB30NF20, Микросхема
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STB30NF20, Микросхема
Последняя цена
290 руб.
Сравнить
Описание
N-Channel STripFET ™, STMicroelectronics
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STB30NF20
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1806321
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
30 A
Максимальное рассеяние мощности
125 W
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
9.35мм
Высота
4.6мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
75 мОм
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Длина
10.4мм
Серия
STripFET
Типичное время задержки выключения
38 нс
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Размеры
10.4 x 9.35 x 4.6мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
35 ns
Производитель
STMicroelectronics
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
38 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
1597 пФ при 25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В