ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STB160N75F3, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STB160N75F3, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STB160N75F3, Транзистор
Последняя цена
620 руб.
Сравнить
Описание
N-Channel STripFET ™, STMicroelectronics
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STB160N75F3
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1809876
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
120 А
Максимальное рассеяние мощности
330 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
10.4мм
Высота
4.6мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
3,7 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
75 V
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Длина
10.75мм
Серия
STripFET
Типичное время задержки выключения
100 нс
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Размеры
10.75 x 10.4 x 4.6мм
Материал транзистора
SI
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
22 ns
Производитель
STMicroelectronics
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
85 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
6750 пФ при 25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Техническая документация
Datasheet STP160N75F3 , pdf
, 388 КБ