STB120NF10T4, Транзистор N-МОП, полевой, 100В, 77А, 312Вт, D2PAK, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 380 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

N-Channel STripFET ™ II, STMicroelectronics
МОП-транзисторы STripFET ™ с широким диапазоном напряжения пробоя обеспечивают сверхнизкий заряд затвора и низкое сопротивление в открытом состоянии.

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STB120NF10T4

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2155907

Технические параметры

Вес, г

1.76

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Mounting Type

Surface Mount

Ширина

9.35мм

Число контактов

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Серия

STripFET II

Длина

10.4мм

Высота

4.6мм

Размеры

10.4 x 9.35 x 4.6мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Base Product Number

STB120 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

D2PAK

Производитель

STMicroelectronics

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

120 А

Максимальное рассеяние мощности

312 Вт

Minimum Gate Threshold Voltage

Максимальное сопротивление сток-исток

10.5 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Материал транзистора

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

5200 pF@ 25 V

Тип канала

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

110A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

5200pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

312W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.5mOhm @ 60A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Series

STripFETв„ў II ->

Типичное время задержки выключения

132 нс

Типичное время задержки включения

25 ns

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

172 нКл при 10 В

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

233nC @ 10V

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

110A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

312W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

100V

Vgs - Gate-Source Voltage

4V @ 250uA

Maximum Gate Threshold Voltage

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1032 КБ

STB120NF10T4, Транзистор N-МОП, полевой, 100В, 77А, 312Вт, D2PAK - характеристики, поставщики

Последняя цена 380 руб.

Техническая документация