ST901T, Транзистор: NPN; биполярный; 350В; 4А; 100Вт; TO220AB, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 230 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN THT

Транзисторы Дарлингтона NPN, STMicroelectronics

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

ST901T

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2091939

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

Base Product Number

ST901 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

Current - Collector Cutoff (Max)

100ВµA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

1800 @ 2A, 2V

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

Power - Max

100W

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220AB

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

2V @ 20mA, 2A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

350V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

2 В

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

STMicroelectronics

Maximum Collector Emitter Voltage

350 В

Package Type

TO-220

Dimensions

6.6 x 2.4 x 6.2мм

Minimum DC Current Gain

500

Конфигурация транзистора

Одинарный

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип транзистора

NPN

Размеры

6.6 x 2.4 x 6.2мм

Высота

6.2мм

Длина

6.6

Ширина

2.4мм

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

2 В

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

100 Вт

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

350 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Число контактов

Тип корпуса

TO-220

Техническая документация

Datasheet , pdf , 325 КБ
Datasheet ST901T , pdf , 358 КБ

ST901T, Транзистор: NPN; биполярный; 350В; 4А; 100Вт; TO220AB - характеристики, поставщики

Последняя цена 230 руб.

Техническая документация