ST13007D, Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 8 А, 80 Вт, TO-220AB, Through Hole, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 190 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

Биполярный транзистор - Примечание: транз: NPN 700V 8A hоэ 8-25, 80Вт
Корпус TO220AB

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

ST13007D

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1386645

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Напряжение Коллектор-Эмиттер

400В

Стиль Корпуса Транзистора

TO-220AB

Рассеиваемая Мощность

80Вт

Полярность Транзистора

npn

DC Ток Коллектора

8А

DC Усиление Тока hFE

8hFE

Transistor Mounting

Through Hole

Вес, г

0.454

Package / Case

TO-220-3

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Length

10.4 mm

Brand

STMicroelectronics

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Width

4.6 mm

Maximum DC Collector Current

8 A

Height

15.75 mm

Pd - Power Dissipation

80 W

Series

ST13007D

Product Category

Bipolar Transistors - BJT

Configuration

Single

Manufacturer

STMicroelectronics

Collector- Base Voltage VCBO

700 V

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

400 V

Continuous Collector Current

8 A

DC Collector/Base Gain Hfe Min

18 at 2 A, 5 V, 8 at 5 A, 5 V

Emitter- Base Voltage VEBO

9 V

Factory Pack Quantity

1000

Mounting Style

Through Hole

Product Type

BJTs - Bipolar Transistors

Subcategory

Transistors

Unit Weight

0.070548 oz

Техническая документация

en.CD00002464 , pdf , 215 КБ
Datasheet , pdf , 214 КБ

ST13007D, Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 8 А, 80 Вт, TO-220AB, Through Hole - характеристики, поставщики

Последняя цена 190 руб.

Техническая документация