SSTA56HZGT116, Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 500 мА, 350 мВт, SOT-23, Surface Mount, Rohm - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 37 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

Биполярные транзисторы - BJT PNP SOT-23 -0.5A -80V VCEO

Информация

Производитель

Rohm

Артикул

SSTA56HZGT116

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1386444

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Напряжение Коллектор-Эмиттер

80В

Стиль Корпуса Транзистора

sot-23

Рассеиваемая Мощность

350мВт

Полярность Транзистора

pnp

DC Ток Коллектора

500мА

DC Усиление Тока hFE

100hFE

Частота Перехода ft

50МГц

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.002

Стандарты Автомобильной Промышленности

AEC-Q101

Pd - рассеивание мощности

350 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

100

Конфигурация

Single

Напряжение коллектор-база (VCBO)

80 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

4 V

Непрерывный коллекторный ток

500 mA

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ROHM Semiconductor

Упаковка / блок

SOT-23-3

Другие названия товара №

SSTA56HZG

Квалификация

AEC-Q101

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

50 MHz

Технология

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

250 mV

Техническая документация

Datasheet SSTA56HZGT116 , pdf , 1403 КБ

SSTA56HZGT116, Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 500 мА, 350 мВт, SOT-23, Surface Mount - характеристики, поставщики

Последняя цена 37 руб.

Техническая документация